Drittmittelprojekt: HR2Dsm

Hochauflösende optische 2D-Strain-Metrologie für die industrielle Produktion von optischen Filmen und Bauelementstrukturen von Ultraviolett bis Infrarot

gefördert durch Antragsnr. 10158017 – EFRE

In diesem Verbundprojekt entwickeln das ISAS und die LayTec AG gemeinsam ein bildgebendes optisches Verfahren, mit dem mikroskopische Verspannungsfelder in Halbleiterschichtstrukturen sichtbar gemacht werden sollen. Die Auflösung der HR2Dsm-Methode (High Resolution Optical 2D strain metrology) soll dabei im Mikrometerbereich liegen. Ziel ist es, mit HR2Dsm ein neues Verfahren für die Qualitätssicherung in der Halbleiterfertigung zu etablieren.

Die Verbundpartner nutzen RAS (Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie), um in einem Ausschnitt eines Wafers wachstumsrelevante Materialparameter wie Verspannungen anhand der Anisotropie zu erfassen und optisch abzubilden. Dabei sollen mehrere Bildausschnitte zeitlich parallel erfasst werden, sodass ganze Halbleiterwafer in wenigen Minuten untersucht werden können. Die HR2Dsm soll in einem breiten Spektralbereich vom nahen Infrarot bis hin zum Ultraviolett einsetzbar sein und es damit ermöglichen, eine breite Palette unterschiedlicher Materialien und Prozesse zu untersuchen. Das Anwendungspotenzial der Technik geht damit weit über die Halbleiterfertigung hinaus: HR2Dsm kann auch bei zur Untersuchung von Siliziumoxid-Schichtstrukturen, Polymeren oder sogar biomolekularen Strukturen dienen.

Projektpartner:

  • ISAS
  • LayTec AG